硅橡胶合成绝缘子染污放电机理的研究

• 作者: 关志成 张仁豫 梁曦东 陈原
• 来源期刊: 清华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 外绝缘 合成绝缘子 染污放电 数学模型
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 电机工程
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: TM85
• 字数: 2613字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-0054.1999.05.005

摘要

传统的瓷和玻璃绝缘子表面呈亲水性,耐污闪性能较差;硅橡胶合成绝缘子表面呈憎水性,且其憎水性能够迁移至绝缘子表面污层,因而具有优良的耐污闪性能,尽管目前对瓷和玻璃绝缘子的污闪机理已作了较深入的研究,但对合成绝缘子污闪机理的研究尚比较缺乏.该文详细分析了合成绝缘子的染污放电过程,提出了闪络通道由多条短电弧与狭窄水带串联而成的合成绝缘子直流污闪模型.模型表明,众多短电弧的阴阳极压降及水带的高阻值是其具有高污闪电压的原因,同时模型清楚地反映了合成绝缘子临闪电流低、临闪电压高的特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	关志成	清华大学电机工程与应用电子技术系	227	4753	35.0	53.0
2	梁曦东	清华大学电机工程与应用电子技术系	79	1944	26.0	42.0
3	陈原	华北电力科学研究院高压所	37	532	15.0	21.0
4	张仁豫	清华大学电机工程与应用电子技术系	3	51	2.0	3.0