锗－二氧化硅复合薄膜的光电特性

• 作者: 甘润今
• 来源期刊: 北京机械工业学院学报（综合版）
• 学科: 工学
• 关键词: 复合薄膜 Ge纳米颗粒 光学带宽 电导激活解
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1849字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-6864.2000.01.001

摘要

采用射频共溅射技术在石英玻璃和硅片衬底上制备出Ge-SiO2复合薄膜,然后在真空气氛中进行热处理.利拉曼散射、X射线衍射、UV/VIS/NIR透射和反射谱、变温电导测试等手段对薄膜的光、电特性进行了研究.实验结果表明,用热处理的方法可以在薄膜中形成Ge纳米颗粒,Ge纳米颗粒的平均尺度约5.0 nm时,薄膜的光学带宽约1.42 ev,电导激活能的最小值约0.43 ev.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	甘润今	北京机械工业学院基础部	10	18	2.0	4.0