连接压力在Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si3N4陶瓷中的作用机制

• 作者: 任家烈 任维佳 吴爱萍 李盛 邹贵生
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 关键词: 连接压力 TLP扩散连接 Si3N4陶瓷
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 新材料新工艺
• 页码范围: 76-80
• 页数: 5页
• 字数: 2025字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2330.2000.05.018

摘要

研究了Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si3N4陶瓷时压力对接头形成的作用机制。结果表明，TLP来不及与陶瓷发生充分反应并形成高强度结合界面就已完全凝固，为形成高强度的结合界面，必须进一步发生固态扩散反应。只有当连接过程中施加足够的压力，才能保证TLP在其存在期间充分铺展陶瓷，并在TLP完全凝固后形成大量扩散通道，为固态扩散反应提供必要条件。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任家烈	清华大学机械工程系	87	1023	18.0	27.0
2	邹贵生	清华大学机械工程系	68	659	16.0	21.0
3	吴爱萍	清华大学机械工程系	82	1340	18.0	33.0
4	任维佳	清华大学机械工程系	8	104	6.0	8.0
5	李盛	清华大学机械工程系	5	71	4.0	5.0