MSM结构GaAs探测器的抗辐照性能

• 作者: 乐毅 史常忻 吴冲 张永明 李澄 许咨宗 邵传芬 陈宏芳
• 来源期刊: 高能物理与核物理
• 学科: 物理学
• 关键词: GaAs半导体 粒子探测器 辐照损伤
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 探测器
• 页码范围: 431-438
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 4787字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-3052.2000.05.010

摘要

研究一种双金属接触的GaAs半导体探测器在14MeV中子辐照下的性能. 测量了探测器经过1012n/cm2中子辐照剂量后的反向漏电流、电荷收集效率和最小电离粒子能谱,并且与 60 Co 1.25MeV光子辐照的测量结果相比较. 对中子辐照引起探测器时间性能变化和辐照损伤机制进行了探讨. 并根据实验结果提出了这种双金属接触GaAs探测器灵敏层分布的一种假设,理论计算和实验数据相符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵传芬	上海交通大学微电子技术研究所	5	9	2.0	2.0
2	史常忻	上海交通大学微电子技术研究所	6	9	2.0	2.0
3	李澄	中国科技大学近代物理系	4	12	2.0	3.0
4	陈宏芳	中国科技大学近代物理系	3	3	1.0	1.0
5	张永明	中国科技大学近代物理系	4	21	3.0	4.0
6	吴冲	中国科技大学近代物理系	1	2	1.0	1.0
7	许咨宗	中国科技大学近代物理系	2	4	2.0	2.0
8	乐毅	中国科技大学近代物理系	1	2	1.0	1.0