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摘要:
用光荧光和时间分辨光谱技术研究了MEB生长立方In1-xGa1-xN(x=0.150.26)外延材料的稳态和瞬态发光特性.实验表明InGaN发光主要来自局域激子发光,局域化是由合金无序造成的,相应局域化能量为60meV左右.荧光衰退呈现双指数特性,快过程(50ps, 12K)是自由激子的快速驰豫引起的,而慢过程(200~270ps,12K)则对应局域激子发光,其荧光寿命随温度缓变反映了激子发光的强局域性质.
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文献信息
篇名 立方相InGaN的稳态和瞬态光学特性研究
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 工学
关键词 InGaN 激子局域化 时间分辨光谱
年,卷(期) 2000,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 11-14
页数 4页 分类号 TN2
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9014.2000.01.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨辉 中国科学院半导体研究所 179 2701 25.0 46.0
2 葛惟昆 香港科技大学物理系 14 37 4.0 5.0
3 徐仲英 中国科学院半导体研究所 14 31 3.0 5.0
4 李顺峰 中国科学院半导体研究所 3 8 2.0 2.0
5 刘宝利 中国科学院半导体研究所 5 21 2.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
InGaN
激子局域化
时间分辨光谱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
出版文献量(篇)
2620
总下载数(次)
3
总被引数(次)
28003
论文1v1指导