自保护MOS栅晶闸管

• 作者: 单建安 许曙明 高玉民
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOS栅晶闸管 自保护 正偏安全工作区 SOI 沟槽隔离
• 年，卷（期）: 2000,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 22-24,35
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 1779字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2000.11.006

摘要

本文报告一种叫做自保护MOS栅晶闸管的新器件.这种器件无寄生闩锁效应,并在较高阳极电压下展现出电流下降而不是饱和或上升的特性.因此,这种新器件具有令人满意的正偏安全工作区.器件的保护点由用户外接输入电阻自行调节,极大增加了使用的灵活性.此外,器件保护点电流和电压的温度系数均为负,这种特性使器件在高温工作时可更好地起自保护作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高玉民	西安交通大学电信学院	1	0	0.0	0.0
2	单建安		1	0	0.0	0.0
3	许曙明		1	0	0.0	0.0