Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态

• 作者: 邓志杰 郑安生 钱嘉裕 韩庆斌
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: Ⅲ-Ⅴ族半导体 单晶生长 位错
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 378-382
• 页数: 5页
• 分类号: TG146
• 字数: 4725字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2000.05.015

摘要

介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括 LEC、VCZ、VGF/VB、HB 的发展现状;欲生长大直径、高质量单晶,仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究.目前,全世界Ⅲ-Ⅴ族半导体单晶产量约 80t,产值约5亿美元.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑安生		11	36	3.0	5.0
2	钱嘉裕		5	19	3.0	4.0
3	邓志杰		6	68	5.0	6.0
4	韩庆斌		1	1	1.0	1.0