硅片边界悬伸法研磨和抛光技术的研究

• 作者: 吕玉山 孙军 王军
• 来源期刊: 机械设计与制造
• 学科: 工学
• 关键词: 边界悬伸 抛光 半导体晶片 平面度 压强分布
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 制造与工艺
• 页码范围: 47-48
• 页数: 2页
• 分类号: TG17
• 字数: 1296字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3997.2000.05.021

摘要

基于弹性力学的接触理论,研究了导向环、工件与抛光垫接触的压力场分布形态,提出了通过改变压头变形板的悬伸长度和厚度改变接触区域的压强分布的新技术,从而实现了均衡压力场研磨和抛光,利用该技术可使半导体晶片在抛光过程中获得均匀一致的材料去除,并且在给定的实验条件下使平面度达0.25～0·33μm/φ76mm,表面粗糙度Ra值分布不大于5%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙军		97	436	11.0	14.0
2	王军		100	547	12.0	17.0
3	吕玉山		1	2	1.0	1.0