氮化硅薄膜的表面平整度特性

• 作者: 陶孟仙
• 来源期刊: 量子电子学报
• 关键词: ECR-PECVD Si3N4薄膜 表面平整度
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 光电技术与材料
• 页码范围: 365-368
• 页数: 4页
• 字数: 1820字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2000.04.015

摘要

本文利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布；由Telystep-Hobbso轮廓仪研究了ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜的表面特性．结果表明ECR-PECVD制备的氮化硅薄膜是一种表面均匀平整度好的薄膜．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陶孟仙	佛山大学应用物理与通信工程系	1	0	0.0	0.0