FLASH ROM 28F256和29C256的14 MeV中子辐照实验研究

• 作者: 刘恩科 姬林 李国政 杨海亮 王燕萍 耿斌 贺朝会 陈晓华
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: FLASH ROM 14 MeV中子 单粒子效应 总剂量效应
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 115-119,153
• 页数: 6页
• 分类号: TL99|TN47
• 字数: 254字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2000.02.010

摘要

给出了国内首次FLASH ROM器件的中子辐照效应实验研究结果.发现28F256和29C256器件的14 MeV中子辐照效应不同于以往所认为的单粒子效应,它只有"0"→"1 "错误.错误发生有个中子注量阈值,当中子注量小于某一个值时,无错误; 当中子注量达到一定值时,开始出现错误.随着中子注量的增加,错误数增加,直到所有"0"变为"1".动态监测和静态加电的器件都出现硬错误,不能用编程器重新写入数据.错误随读取次数的增加而增加.在相同的中子注量下,不加电的器件无错误,而加电的器件都出现错误,并且出现不确定性错误.