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摘要:
给出了浮栅ROM器件的质子辐射效应实验结果.认为浮栅ROM28C256和29C256的质子辐射效应不是单粒子效应,而是质子及其次级带电粒子产生的累积剂量造成的总剂量效应.器件出现错误有个质子注量阈值.对于29C256,高温加电退火容易消除质子产生的辐射损伤;对于28C256,高温加电退火不易消除质子产生的辐射损伤.动态监测和静态加电的器件都出现数据错误,且不能用编程器重新写入数据.然而不加电的器件在更高的质子注量辐照下未出现错误.对于应用浮栅ROM器件的航天器电子系统,冷备份是提高其可靠性的有效手段之一.
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文献信息
篇名 浮栅ROM器件的质子辐射效应实验研究
来源期刊 空间科学学报 学科 航空航天
关键词 FLASH ROM-EEPROM-质子-单粒子效应-总剂量效应
年,卷(期) 2002,(2) 所属期刊栏目 探测与实验
研究方向 页码范围 184-192
页数 9页 分类号 V44
字数 4036字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0254-6124.2002.02.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨海亮 35 262 9.0 14.0
2 耿斌 10 60 6.0 7.0
3 陈晓华 11 87 6.0 9.0
4 贺朝会 16 193 8.0 13.0
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研究主题发展历程
节点文献
FLASH ROM-EEPROM-质子-单粒子效应-总剂量效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
空间科学学报
双月刊
0254-6124
11-1783/V
大16开
北京8701信箱
2-562
1981
chi
出版文献量(篇)
2074
总下载数(次)
3
总被引数(次)
9397
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