浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析

• 作者: 李国政 杨海亮 王燕萍 耿斌 贺朝会 陈晓华
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: FLASH ROM EEPROM SRAM 单粒子效应 总剂量效应
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 1260-1262
• 页数: 3页
• 分类号: TN47
• 字数: 2783字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2003.08.035

摘要

比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同,分析了其不同的原因.与SRAM相比,浮栅ROM器件出错时的14MeV中子注量阈值高5个量级;31.9MeV质子注量阈值高4个量级;总剂量损伤阈值相差不大,都在104rad(Si)量级左右.这些都是由二者存储单元的结构和辐射效应机制决定的.在空间辐射环境中,不需经常擦写数据的情况下,应该选用浮栅ROM器件.