SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析

• 作者: 任建岳 张立国 李豫东 金龙旭
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: SRAM ROM 静态功耗电流 动态功耗电流 总剂量辐射效应
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 微纳技术与精密机械
• 页码范围: 787-793
• 页数: 7页
• 分类号: TN47
• 字数: 2959字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2009.04.015

摘要

为了研究大规模集成电路存储器的总剂量辐射效应,分别对SRAM和ROM两种存储器进行了60Coγ总剂量辐射实验.结果表明,这两种器件是对总剂量辐射效应敏感的器件.失效阈值在10～15 krad(Si)之间.实验还表明.研究SRAM、ROM的总剂量辐射效应,只对数据存取功能进行测试是不完善的,器件的静态功耗电流与动念功耗电流也是总剂量辐射效应的敏感参数,应该作为总剂量辐射效应失效阈值的有效判据.根据器件结构与实验结果,分析了SRAM和ROM器件的损伤机理,认为CMOS SRAM的损伤主要源于辐射产生的界面效应;而浮栅结构ROM的损伤则源于辐射产生的氧化物陷阱电荷与界面陷阱电荷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任建岳	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	127	1431	23.0	31.0
2	金龙旭	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	80	637	13.0	21.0
3	张立国	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	37	217	8.0	12.0