纳米GaSb-SiO2镶嵌复合薄膜的制备及光学性质

• 作者: 刘发民 姜治 张立德 贾俊辉
• 来源期刊: 中国科学A辑
• 学科: 化学
• 关键词: 纳米GaSb颗粒 镶嵌复合薄膜 射频磁控共溅 光学性质 量子限域理论
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 数学
• 页码范围: 92-96
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 692字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9232.2000.01.012

摘要

用射频磁控溅射技术制备出纳米GaSb颗粒镶嵌在SiO2介质中的复合薄膜.透射电子显微镜观察表明, 纳米GaSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2介质中.X射线衍射显示出GaSb (111),GaSb(220) 和GaSb(311)典型的面心立方闪锌矿结构特征.复合薄膜的室温光吸收谱表明,吸收边发生了较大的蓝移,并且,蓝移量随纳米GaSb的颗粒尺寸减小而增大.复合薄膜的室温Raman光谱表明: 薄膜的Raman散射峰较块体材料的有较大的红移和宽化.用量子限域理论和张应力效应对这些现象作了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张立德	中国科学院固体物理研究所	101	1916	23.0	41.0
2	刘发民	中国科学院固体物理研究所	14	467	9.0	14.0
3	姜治	中国科学院固体物理研究所	2	21	2.0	2.0
4	贾俊辉	中国科学院固体物理研究所	2	13	2.0	2.0