纳米硅量子线的发光特性研究

• 作者: 俞大鹏
• 来源期刊: 材料科学与工程
• 关键词: 纳米硅 量子线 光致发光 量子限制 高分辨电镜
• 年，卷（期）: 2000,（z2）
• 所属期刊栏目: 纳米材料
• 页码范围: 569-571
• 页数: 3页
• 字数: 1202字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.008

摘要

利用脉冲激光蒸发或高温物理升华的方法,制备出纯度极高、直径分布均匀(13nm左右)的硅的一维量子线.光致发光(PL)测量显示,在313.5nm激光激发下,室温下硅量子线具有红绿蓝三色发光.对硅量子线进行氧化处理后,随氧化时间的增加,红光PL峰发生蓝移,而绿、蓝峰没有移动.红光PL与量子尺寸限制效应有关,而绿、蓝光PL来源于表层氧化硅中的缺陷发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	俞大鹏	北京大学物理系介观物理国家重点实验室	23	162	6.0	12.0