MOS表面反型层少子时变效应研究

• 作者: 刘艳红 许铭真 谭长华 魏希文
• 来源期刊: 大连理工大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 少数载流子 数值解/MOS结构 时变效应
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 院士学术论文
• 页码范围: 661-663
• 页数: 3页
• 分类号: O472.1
• 字数: 2037字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-8608.2000.06.008

摘要

为深入研究半导体表面过程,主要针对Zerbst方程,用数值拟合法,给出脉冲电压作用下MOS器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解, 进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式;分析了表面少子时变过程,为表面电荷转移器件的模拟分析提供了有力的工具.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘艳红	大连理工大学物理系	14	73	6.0	8.0
2	魏希文	大连理工大学物理系	4	10	1.0	3.0