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H2及H+对CxH1-x薄膜表面状态的影响
H2及H+对CxH1-x薄膜表面状态的影响
作者:
吴卫东
唐永建
张占文
罗江山
许华
赵纯培
郑永铭
陆晓明
陈红
黄勇
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CxH1-x薄膜
悬挂键密度
局域化
ICF靶涂层技术
摘要:
系统研究了H2流量和H+原位处理CxH1-x薄膜的时间对CxH1-x薄膜的稳定时间、表面悬挂键密度和表面电子局域化程度的影响,表明CxH1-x薄膜的长时间H+原位处理是减小CxH1-x薄膜表面悬挂键密度的有效途径.
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文献信息
篇名
H2及H+对CxH1-x薄膜表面状态的影响
来源期刊
强激光与粒子束
学科
工学
关键词
CxH1-x薄膜
悬挂键密度
局域化
ICF靶涂层技术
年,卷(期)
2000,(5)
所属期刊栏目
ICF与激光等离子体
研究方向
页码范围
593-596
页数
4页
分类号
TL639.11
字数
2004字
语种
中文
DOI
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节点文献
CxH1-x薄膜
悬挂键密度
局域化
ICF靶涂层技术
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
主办单位:
中国工程物理研究院
中国核学会
四川核学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-4322
CN:
51-1311/O4
开本:
大16开
出版地:
四川绵阳919-805信箱
邮发代号:
62-76
创刊时间:
1989
语种:
chi
出版文献量(篇)
9833
总下载数(次)
7
总被引数(次)
61664
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