光学光刻工艺中邻近效应的定量分析

• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 光学光刻工艺 临近效应 定量分析
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 专题译文
• 页码范围: 38-46
• 页数: 9页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 4482字
• 语种: 中文

摘要

随着超大规模集成电路（VLSI）图形密度的增大，临近效应已成为光学光刻的关键问题之一。通常在平整硅片上对0.5μm图形采用0.54NA和传统的单层i线抗蚀工艺时，密集图形和孤立图形间的线宽差异大约为0.08μm。然而，这一线宽差异已严重的影响了实际生产的工艺稳定性。阐述了临近效应对图形尺寸、线条与间隙占空间比、衬底膜种类、曝光过程的散焦效应、与抗蚀剂厚度变化有关的抗蚀工艺条件和显影时间的依赖性。同时，采用2种不同抗蚀剂实验检测了不同潜相对比度引起的关键尺寸（CD）偏差。为减小实际图形因抗蚀剂厚度变化引起的CD差异，获得最佳抗蚀剂厚度，进行了一种模拟研究。