沉积TiB2薄膜的电极真空绝缘性能实验研究

• 作者: 方仁昌 罗四维
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 微放电模拟 表面改性 单次放电电流参数
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 179-183
• 页数: 5页
• 分类号: O484.5|O484.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2001.02.015

摘要

利用由一定结构的球面（阴极）-平板（阳极）组成的真空间隙，模拟特种电真空器件中电极间的微放电过程。用离子束辅助沉积（IBAD）法，在阴极球面上沉积出高结合强度的晶化TiB2薄膜。实验证明：在高达1000℃的温度下，相比不锈钢材料，薄膜表面几乎不被氧化；在单次脉冲高压作用下和在经受数百次高能微粒子轰击后，仍呈现出弱放电特征，既提高了耐压能力，又降低了脉冲电源的动态负载。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗四维	中国工程物理研究院电子工程研究所	5	23	4.0	4.0
2	方仁昌	中国工程物理研究院电子工程研究所	6	27	4.0	5.0