GaN基量子阱激光器极化相关增益饱和特性的理论计算

• 作者: 姚端正 赵磊
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 量子阱激光器 增益饱和 极化
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 411-414
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2588字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2001.06.010

摘要

通过计算GaN能带结构和跃迁矩阵元,对GaN基量子阱激光器的极化相关增益和增益饱和特性作了理论上的计算与分析.具体计算并给出了TE和TM模的增益谱和自饱和系数的曲线,分析了能带结构和载流子面密度对增益和增益饱和特性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵磊	武汉大学应用物理系	43	512	13.0	22.0
2	姚端正	武汉大学应用物理系	14	47	4.0	6.0