ECR-PECVD制备SiO2薄膜中衬底射频偏压的作用

• 作者: 任兆杏 刘卫 张劲松 梁荣庆 隋毅峰
• 来源期刊: 核聚变与等离子体物理
• 学科: 工学
• 关键词: 电子回旋共振等离子体 SiO2薄膜 射频偏压
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 59-64
• 页数: 6页
• 分类号: TB43
• 字数: 2707字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-6086.2001.01.011

摘要

采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD）技术在单晶衬底上制备了SiO2薄膜，研究了射频偏压对薄膜特性的影响。通过X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶变换红外线光谱(FTIR)、原子力显微镜(AFM)和扫描隧道显微镜(STM)三维形貌图测量等手段，对成膜特性进行了分析。实验结果表明，通过改变射频偏压的参数来控制离子轰击能量，对ECR-PECVD成膜的内应力、溅射现象、微观结构和化学计量均有明显的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘卫	中国科学院等离子体物理研究所	109	1093	18.0	29.0
2	张劲松	中国科学院等离子体物理研究所	153	2921	28.0	48.0
3	梁荣庆	中国科学院等离子体物理研究所	14	119	7.0	10.0
4	任兆杏	中国科学院等离子体物理研究所	20	209	9.0	14.0
5	隋毅峰	中国科学院等离子体物理研究所	6	84	4.0	6.0