ECR-PECVD制备纳米硅颗粒薄膜

• 作者: 吴爱民 岳红云 张学宇 秦福文 胡娟 闻立时
• 来源期刊: 哈尔滨工程大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: ECR-PECVD 太阳能电池 薄膜 纳米硅
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 页码范围: 830-834
• 分类号: TK519|TB321|TB79
• 字数: 3160字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7043.2011.06.023

摘要

为消除紫外线对硅基薄膜太阳能电池的热损害,并进一步提高电池转换效率,提出在硅基薄膜太阳能电池顶部低温下制备一薄层纳米硅薄膜.在P型(100)硅片上采用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术交替沉积SiO2/Si/SiO2层,改变衬底温度和H2流量沉积纳米硅薄膜,探讨低温下直接制备纳米硅薄膜的工艺.实验结果表明,在低温下,薄膜以非晶相为主,局部分布有零星的网格状晶化相,随着温度的升高,晶化趋势增加,晶化相颗粒大小在5 ～8 nm;当H2流量在20 ～40 mL/min变化时,随着流量的增加,薄膜晶化相增多,纳米硅尺寸在5～10 nm,但H2流量超过30 mL/min后,随着H2流量的增加,薄膜晶化率下降,纳米硅颗粒减少.利用H等离子体原位刻蚀方法,可明显改善薄膜晶化效果,经原位刻蚀处理后纳米晶颗粒尺寸及分布比较均匀,颗粒大小在6nm左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闻立时	中国科学院沈阳金属研究所	117	1859	24.0	36.0
2	吴爱民	大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室	38	263	10.0	15.0
3	胡娟	大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0
7	岳红云	中国科学院沈阳金属研究所	1	2	1.0	1.0
8	张学宇	中国科学院沈阳金属研究所	1	2	1.0	1.0
9	秦福文	中国科学院沈阳金属研究所	1	2	1.0	1.0