PECVD法制备纳米硅薄膜材料

• 作者: 周雪梅 墙威 徐重阳 戴永兵 曾祥斌 王长安 赵伯芳
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米硅薄膜材料 等离子化学汽相淀积 衬底直流偏压 气体流量
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 1-2
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.1999.05.001

摘要

采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)法制备了纳米硅薄膜材料,研究了工艺参数,如衬底温度、衬底直流偏压、反应气体流量比等对薄膜性能的影响.采用椭圆偏振光谱和有效介质近似法分析了薄膜结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐重阳	华中理工大学电子科学与技术系	33	239	9.0	14.0
2	曾祥斌	华中理工大学电子科学与技术系	8	34	3.0	5.0
3	戴永兵	华中理工大学电子科学与技术系	4	21	3.0	4.0
4	王长安	华中理工大学电子科学与技术系	7	32	3.0	5.0
5	周雪梅	华中理工大学电子科学与技术系	6	32	3.0	5.0
6	赵伯芳	华中理工大学电子科学与技术系	7	39	4.0	6.0
7	墙威	华中理工大学电子科学与技术系	2	28	2.0	2.0