二次蒸发制备的CuxS薄膜特性研究

• 作者: 田宏
• 来源期刊: 大连铁道学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CuxS薄膜 两次蒸发 光电性
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 87-89,101
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 1461字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-9590.2001.02.019

摘要

在玻璃基底上通过两次蒸发的新技术制备CuxS薄膜.硫在衬底温度为160℃～200℃时与淀积在衬底上的铜直接发生反应,生成CuxS薄膜.实验发现,生成的CuxS薄膜与衬底温度有很大关系，160℃时生成的CuxS呈黄绿色,而在190℃左右生成的多晶状的CuxS薄膜，颜色为深绿色.通过XRD、SEM、TS等方法对样品的组织结构进行了研究和讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田宏	大连铁道学院电气工程系	3	1	1.0	1.0