SiC短程结构的分子动力学模拟

• 作者: 周正有
• 来源期刊: 南昌大学学报(理科版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子动力学模拟 短程度 径向分布函数
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 63-68
• 页数: 6页
• 分类号: O411.3
• 字数: 3113字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-0464.2001.01.012

摘要

采用Tersoff势函数对晶体、液态、非昌SiC结构进行了分子动力学模拟.模拟的结果表明:由于C成键的影响使非晶SiC的结构偏离正四面体构型.在晶体中SiC保持长程排列的闪锌矿型结构.液态SiC的模拟得到Si的配位效为5.64,C的配位效为3.67,C-C的键角分布在～66°和～120°有两个峰值,表明有相当一部分C是三次配位,形成石墨型结构.非晶SiC的结构基本保持了液态SiC的构型,但Si和C的配位数下降,Si的配位数为4.24,其结构为正四面正体构型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周正有	南昌大学材料科学系	21	79	6.0	7.0