2.9GHz 0.35μm CMOS低噪声放大器

• 作者: 王志功 谢婷婷 陈海涛 陶蕤
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS工艺 低噪声放大器 螺旋电感
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1530-1532
• 页数: 3页
• 分类号: TN722
• 字数: 2336字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.11.023

摘要

随着特征尺寸的不断减小,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到50GHz以上,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟集成电路成为可能.越来越多的射频工程师开始利用先进的CMOS工艺设计射频集成电路,本文给出了一个利用0.35 μm CMOS工艺实现的2.9GHz单片低噪声放大器.放大器采用片内集成的螺旋电感实现低噪声和单片集成.在3伏电源下,工作电流为8mA,功率增益大于10dB,输入反射小于-12dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	陶蕤	东南大学射频与光电集成电路研究所	6	104	4.0	6.0
3	谢婷婷	东南大学射频与光电集成电路研究所	11	82	6.0	9.0
4	陈海涛	东南大学射频与光电集成电路研究所	3	65	3.0	3.0