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10Gb/s0.18μm CMOS工艺复接器设计
复接器
D锁存器
CMOS工艺
时钟偏差
2.5Gb/s0.35μm CMOS时钟恢复芯片
时钟恢复
锁相环
倍频器
CMOS
高压下Fe92.5 O2.2S5.3的熔化温度
Fe-O-S
声速
熔化温度
地球外核
S7-200 PLC的V内存永久保存
存储器保持
V存储器
特殊存储器
PLC
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 RAMBUS2.2GB/s内存工艺前瞻
来源期刊 电脑新时代 学科 工学
关键词 RAMBUS 内存 计算机 带宽
年,卷(期) 2001,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 43-44
页数 2页 分类号 TP333.1
字数 语种 中文
DOI
五维指标
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2001(0)
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研究主题发展历程
节点文献
RAMBUS
内存
计算机
带宽
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电脑新时代
月刊
1009-6795
CN 11-4451/TP
北京海淀区亮甲店130号恩济大厦415室
出版文献量(篇)
787
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