多量子阱的电子干涉及引起的光电流特性

• 作者: 周均铭 程兴奎 黄绮
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 多量子阱 电子干涉 光电流
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 166-168
• 页数: 3页
• 分类号: O471.1
• 字数: 2144字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2001.03.004

摘要

根据电子干涉理论分析指出：多量子阱结构势垒以上的电子，由于其干涉效应形成一些分立的弱干涉非定域态。当存在光激发时，量子阱中基态电子可跃迁到这些弱干涉非定域态上，在外电场作用下形成光电流谱的多峰结构。理论计算出的几个光电流峰位置与实验测量的结果符合较好。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程兴奎	山东大学光电材料与器件研究所	24	80	5.0	7.0
2	周均铭	中国科学院物理研究所	29	95	6.0	8.0
3	黄绮	中国科学院物理研究所	26	106	7.0	9.0