X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层

• 作者: 何伟 冼鼎昌 姜晓明 施斌 王 胡天斗 蒋最敏 贾全杰 郑文莉 黄宇营
• 来源期刊: 北京同步辐射装置：英文版
• 学科: 工学
• 关键词: X射线驻波方法 半导体 超薄异质外延层 硅晶体 外延生长 Ge 锗
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 198-204
• 页数: 0页
• 分类号: TN304.055

摘要

利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于层的微结构。实验结果表明，由于Ge原予的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为x≈0.13；650℃退大会使Ge原予向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原于层。