Ga分凝特性的二次离子质谱分析

• 作者: 修显武 周忠平 张晓华 杨利 裴素华 赛道建
• 来源期刊: 中国学术期刊文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 界面 近表面 分凝 耗尽区宽度
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 页码范围: 1313-1315
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.4
• 语种: 中文

摘要

以二次离子质谱仪(SIMS)研究了Ga在SiO2-Si界面上的分凝特性.结果表明,热氧化时间越长,反扩散到SiO2中的Ga原子越多.Si表面杂质浓度越小,耗尽区宽度越大;并得出了界面Si一侧最低表面浓度的变化规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨利	山东师范大学半导体研究所	12	72	5.0	8.0
2	赛道建	山东师范大学半导体研究所	37	252	8.0	14.0
3	周忠平	山东师范大学半导体研究所	14	69	5.0	8.0
4	裴素华	山东师范大学半导体研究所	27	70	6.0	7.0
5	修显武	山东师范大学半导体研究所	15	21	2.0	4.0
6	张晓华	山东师范大学半导体研究所	6	3	1.0	1.0