应用光伏方法估算硅单晶表面态俘获截面

• 作者: 丁小勇 颜永美
• 来源期刊: 厦门大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 光伏方法 硅单晶 表面态俘获截面
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学技术科学
• 页码范围: 873-877
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.1
• 字数: 2869字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2001.04.008

摘要

提出一个可以非破坏性地估算半导体单晶的表面态俘获截面σon 和σ-p的新方法.此法基于变温光伏测量，采用（111）p型硅单晶（NA=1.5×1016 cm-3）为实验样品.由于表面势垒高度ΦBP=0.575 6 V,表面复合速度sn=4.8×103 cm*s-1以及表面态密度Ds=6.7×1011 cm-2*eV-1可由光伏方法测算，则表面态俘获截面σon≈5×10-13 cm2与σ-p≈2×10-12 cm2可通过应用Shockley-Read体复合理论于表面而被估算.此结果与其它方法得到的有关报导的结果相一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜永美	厦门大学物理学系	5	9	2.0	3.0
2	丁小勇	厦门大学物理学系	3	0	0.0	0.0