CoSi2薄膜内应力的微观机制研究

• 作者: 冯嘉猷 刘继峰 朱静
• 来源期刊: 自然科学进展
• 学科: 工学
• 关键词: CoSi2薄膜内应力电子密度价键理论
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 168-172
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 3390字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-008X.2001.02.009

摘要

通过晶体价键理论与电子密度理论的结合,推算出CoSi2的表面电子密度,从理论上分析了p型Si衬底的掺杂浓度对CoSi2薄膜内应力的影响,并从实验上给予了验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯嘉猷	清华大学材料科学与工程系	4	73	3.0	4.0
2	朱静	清华大学材料科学与工程系	80	1002	16.0	29.0
3	刘继峰	清华大学材料科学与工程系	2	24	2.0	2.0