X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层

• 作者: 何伟 冼鼎昌 姜晓明 施斌 王迅 胡天斗 蒋最敏 贾全杰 郑文莉 黄宇营
• 来源期刊: 高能物理与核物理
• 学科: 物理学
• 关键词: X射线驻波异质结构偏析原子占位
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 同步辐射核技术应用等
• 页码范围: 588-594
• 页数: 7页
• 分类号: O57
• 字数: 4167字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-3052.2001.06.019

摘要

利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构. 实验结果表明，由于Ge原子的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为x≈0.13；650℃退火会使Ge原子向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡天斗	中国科学院高能物理研究所	90	733	16.0	23.0
2	姜晓明	中国科学院高能物理研究所	21	198	7.0	14.0
3	施斌		18	196	8.0	14.0
4	何伟	中国科学院高能物理研究所	94	1342	21.0	34.0
5	黄宇营	中国科学院高能物理研究所	75	448	11.0	17.0
6	冼鼎昌	中国科学院高能物理研究所	21	109	6.0	10.0
7	蒋最敏		24	93	5.0	9.0
8	贾全杰	中国科学院高能物理研究所	18	57	3.0	7.0
9	王迅		19	89	4.0	9.0
10	郑文莉	中国科学院高能物理研究所	5	34	1.0	5.0