几个存储器问题的再思考

• 作者: 窦振中
• 来源期刊: 世界电子元器件
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 专题报道
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: TP3
• 字数: 3358字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7604.2001.08.002

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	窦振中	扬州大学物理系	20	208	7.0	14.0