禁带宽度梯度化的半导体薄膜光电极的研究

• 作者: 宋斌 幸塚广光 横尾俊信 赵高凌 韩高荣
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 化学
• 关键词: 禁带宽度梯度化 溶胶凝胶法 光电极
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 28-30
• 页数: 4页
• 分类号: O64
• 字数: 2166字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2001.01.007

摘要

为了得到光电化学性质稳定且具有宽的光吸收范围的光电极材料,给出了一种禁带宽度梯度化的氧化物半导体薄膜电极的设计.用溶胶凝胶法将不同V/Ti比的溶胶逐层涂于基板上,通过热处理得到了禁带宽度梯度化的Ti1-xVxO2薄膜电极.XPS结果显示所得薄膜中形成了组成梯度.这种Ti1-xVxO2薄膜电极的光电化学性质稳定,光生伏打约为360mV,可见光区具有明显的光电流.与纯的TiO2薄膜电极相比,Ti1-xVxO2薄膜电极的光电流起始电压正移了.这是由于电极表面富集的钒形成了电子空穴复合中心.Ti1-xVxO2的导带最低能级比TiO2的低可能是引起正移的另一原因.阻抗分析表明Ti1-xVxO2的受主密度比TiO2的高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩高荣	浙江大学材料科学与工程学系	187	1971	24.0	35.0
2	赵高凌	浙江大学材料科学与工程学系	45	462	14.0	20.0
3	宋斌	浙江大学物理系	7	54	4.0	7.0
4	幸塚广光	京都大学化学研究所	1	8	1.0	1.0
5	横尾俊信	京都大学化学研究所	1	8	1.0	1.0