变温霍尔效应测量n型锗半导体薄膜禁带宽度

• 作者: 王春安 符斯列 陈俊芳
• 来源期刊: 实验科学与技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 变温霍尔效应 n型标准锗样品 禁带宽度
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 实验技术
• 页码范围: 15-17
• 分类号: O482.4
• 字数: 1966字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-4550.2010.02.006

摘要

文章介绍了变温霍尔效应测量半导体电学特性实验,通过77～400K的浅掺杂n型锗标准样品变温霍尔效应测量,根据对各种变温数据曲线中高温本征导电区斜率的计算,得到半导体样品的禁带宽度Eg,并对计算结果进行比较讨论.认为lg(|RH|T3/2)-1/T曲线方法更合适用来计算禁带宽度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈俊芳	华南师范大学物理与电信工程学院	69	768	12.0	26.0
2	符斯列	华南师范大学物理与电信工程学院	25	77	5.0	7.0
3	王春安	广东技术师范学院电子与信息学院	12	22	2.0	4.0