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摘要:
阐述了Thomas-Fermi-Dirac-Cheng电子理论的位错形成机制. 通过对系统总能量的分析提出了位错能够存在的判据, 计算给出多种单质材料位错存在的极限尺寸值.
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文献信息
篇名 论位错的稳定存在
来源期刊 稀有金属材料与工程 学科 工学
关键词 位错 Thomas-Fermi-Dirac-Cheng 极限尺寸
年,卷(期) 2002,(2) 所属期刊栏目 材料科学
研究方向 页码范围 81-83
页数 3页 分类号 TG113.1
字数 1863字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1002-185X.2002.02.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 程开甲 13 64 5.0 7.0
2 程漱玉 9 28 4.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
位错
Thomas-Fermi-Dirac-Cheng
极限尺寸
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
稀有金属材料与工程
月刊
1002-185X
61-1154/TG
大16开
西安市51号信箱
52-172
1970
chi
出版文献量(篇)
12492
总下载数(次)
15
总被引数(次)
83844
论文1v1指导