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摘要:
采用透射电镜(TEM)定位观察了室温单晶硅显微压痕表面的微观信息.发现了为数不少的位错圈、堆垛层错、扩展位错及压杆位错、位错偶等多种组态.尽管产生的原因各异,但均为最终的低能稳定组态.位错的存在和运动表明常温下单晶硅的压痕缺口附近产生塑性变形.
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文献信息
篇名 室温下单晶硅显微压痕表面位错组态的TEM观察
来源期刊 福州大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 单晶硅 位错 塑性变形 显微压痕
年,卷(期) 2001,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 55-57
页数 3页 分类号 TG111.2
字数 2449字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-2243.2001.02.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蔡传荣 福州大学测试中心 15 127 5.0 11.0
2 张琼 福州大学材料科学与工程学院 15 109 7.0 10.0
3 周海芳 福州大学电子科学与应用物理系 28 74 5.0 7.0
传播情况
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2011(1)
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研究主题发展历程
节点文献
单晶硅
位错
塑性变形
显微压痕
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
福州大学学报(自然科学版)
双月刊
1000-2243
35-1117/N
大16开
福建省福州市大学新区学园路2号
34-27
1961
chi
出版文献量(篇)
4219
总下载数(次)
6
总被引数(次)
24665
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