压痕诱发GaAs单晶中的位错组态

• 作者: 徐永波 李井润 李志成
• 来源期刊: 中山大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 压痕 位错 电子显微镜
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 43-45
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 1924字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0529-6579.2004.02.012

摘要

利用透射电子显微镜对压痕诱发GaAs中的位错组态进行了研究.结果表明,压痕周围产生了玫瑰型不对称的位错组态和二次对称分布的孪晶结构.这种位错组态是由晶体中六个滑移面上的形核、运动及相互作用而成.它们与材料中不同运动速度的α、β位错密切相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李井润	电子科技大学中山学院	5	7	2.0	2.0