VB法生长低位错GaAs单晶

• 作者: 兰天平 刘津 周传新 孙强 李仕福 牛沈军 王建利
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: 位错密度 垂直布里奇曼法 GaAs晶体 温度梯度 热场
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 200-204
• 页数: 5页
• 分类号: O614
• 字数: 1781字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.01.044

摘要

用于激光二极管(LD)和发光二极管(LED)的GaAs晶片,要求其具有低的位错密度(EPD).为了获得低位错密度的GaAs晶片,必须先得到低位错密度的体单晶.我们采用垂直布里奇曼(VB)法分别得到了2英寸和3英寸的GaAs单晶,单晶长度可达10cm,平均位错密度5000cm-2.通过改变加热器结构,改善轴向和径向的温度梯度,优化了生长时的固液界面,得到的单晶长度达20cm,平均位错密度为500cm-2,最大位错密度小于5000cm-2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙强	中国电子科技集团公司第四十六研究所	32	139	7.0	10.0
2	王建利	中国电子科技集团公司第四十六研究所	4	28	2.0	4.0
3	牛沈军	中国电子科技集团公司第四十六研究所	6	40	4.0	6.0
4	兰天平	中国电子科技集团公司第四十六研究所	12	47	4.0	6.0
5	李仕福	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	8	1.0	1.0
6	周传新	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	8	1.0	1.0
7	刘津	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	8	1.0	1.0