RDX单晶的生长诱导位错表征

• 作者: 周小清 徐容 李洪珍 王述存 黄明
• 来源期刊: 含能材料
• 学科: 化学
• 关键词: 有机化学 RDX大单晶 摇摆曲线 生长诱导位错
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 301-305
• 页数: 5页
• 分类号: TJ55|O62
• 字数: 3148字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-9941.2013.03.005

摘要

采用溶剂蒸发法,以丙酮为溶剂,在一定结晶条件下可获得晶体质量好的厘米级RDX大单晶(约40 mm x40 mm×30 mm).用高分辨X射线三晶衍射(TAXRD)摇摆曲线(ω扫描)研究了RDX单晶的生长诱导位错,用Split PearsonⅦ分析函数并对摇摆曲线进行了拟合,得到(210)、(200)和(111)晶面的摇摆曲线半高宽(FWHM),其值分别为35.35 arcsec,45.31 arcsec和77.92 arcsec,说明(111)晶面的位错密度最大,线生长速度最快；(210)晶面的位错密度最小,线生长速度最慢,RDX单晶呈现出各向异性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李洪珍	中国工程物理研究院化工材料研究所	54	657	16.0	22.0
2	周小清	中国工程物理研究院化工材料研究所	23	224	8.0	14.0
3	王述存	中国工程物理研究院化工材料研究所	12	31	4.0	5.0
4	徐容	中国工程物理研究院化工材料研究所	35	344	11.0	16.0
5	黄明	中国工程物理研究院化工材料研究所	73	573	14.0	19.0