碳化硅异质外延薄膜生长及表面缺陷研究

• 作者: 张永华 彭军 朱作云 王剑屏 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 异质外延 表面缺陷
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 465-469
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 4429字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2002.04.009

摘要

讨论了引入Ⅲ-Ⅴ族氮化物为蓝宝石与碳化硅中间的缓冲层,用常压气相外延手段在蓝宝石/Ⅲ-Ⅴ族氮化物复合衬底上异质外延碳化硅薄膜的过程.在C面(0001)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜.扫描电子显微镜显示薄膜表面连续、光滑,证明良好的氮化物缓冲层对碳化硅薄膜异质生长具有重要的意义,同时在表面发现直径为1～10 μm的六角形缺陷.对缺陷面密度与工艺参数的关系进行了分析,并对缺陷产生的机理进行了探讨,认为反应产生物的腐蚀是产生六角形缺陷的来源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子所	312	1866	17.0	25.0
2	朱作云	西安电子科技大学微电子所	13	98	6.0	9.0
3	王剑屏	西安电子科技大学微电子所	7	48	3.0	6.0
4	彭军	西安电子科技大学微电子所	10	97	3.0	9.0
5	张永华	西安电子科技大学微电子所	6	24	2.0	4.0