高质量SiC大直径单晶基板

• 作者: 大谷 升 朱文英
• 来源期刊: 世界钢铁
• 关键词: SiC 单晶基板 高质量 外延薄膜 高性能
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

以日本新日铁公司的研发成果为例,描述了SiC单晶基板开发的最新进展情况.同时介绍了SiC单晶的生长技术及其现状和今后的发展方向.SiC半导体作为电力装置、耐环境装置用材料,长期以来一直引人注目.由于单晶生长困难,迟迟未能实现其实用化的目标.近年来,单晶生长技术突飞猛进,单晶SiC的大型化及高质量化才得以实现.新日铁以单晶为基板,致力于高质量外延薄膜的生长及高性能装置的试制.