高质量N型SiC单晶生长及其器件应用

• 作者: 彭燕 徐现刚 李赟 杨昆 杨祥龙 胡小波 赵志飞 陈秀芳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 物理气相传输 外延 肖特基二极管
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 1427-1431
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 2042字
• 语种: 中文

摘要

采用物理气相传输法在(0001)面偏向<11-20>方向4°的籽晶上生长了掺氮低电阻率碳化硅(SiC)单晶.结合碳化硅邻位面生长机制,通过优化温场设计,在近平温场下生长出了晶型稳定、微管密度低、高结晶质量的低电阻率4H-SiC单晶.在加工的“epi-ready”SiC衬底上进行了同质外延,获得了光滑的外延层表面.利用该外延材料研制了600V/10 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能与进口衬底结果相当,反向漏电成品率高达67％.另外研制了600 V/50 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能也达到了进口衬底水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0
2	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
3	彭燕	山东大学晶体材料国家重点实验室	9	23	4.0	4.0
4	杨昆	山东大学晶体材料国家重点实验室	6	20	3.0	4.0
5	李赟	中国电子科技集团公司第五十五研究所	5	1	1.0	1.0
6	陈秀芳	山东大学晶体材料国家重点实验室	17	102	5.0	9.0
7	杨祥龙	山东大学晶体材料国家重点实验室	6	13	2.0	3.0