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摘要:
硅是微电子学领域最重要的半导体材料,在硅器件的生产过程和实际应用中造成的硅片内部残余应力将极大地影响硅器件的使用性能和使用寿命.本文利用云纹干涉法和载波技术对微型硅晶体传感器的残余变形进行了研究,获得了理想的实验结果.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 微型硅晶体传感器残余变形的云纹干涉法测试
来源期刊 实验力学 学科 工学
关键词 云纹干涉法 硅晶体 载波 残余变形
年,卷(期) 2002,(z1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 127-131
页数 5页 分类号 TB12
字数 2104字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-4888.2002.z1.022
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 戴福隆 清华大学工程力学系 70 817 11.0 27.0
2 刘杰 清华大学工程力学系 29 220 8.0 14.0
3 温秀梅 清华大学工程力学系 6 16 2.0 4.0
4 高飞 1 0 0.0 0.0
传播情况
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2002(1)
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研究主题发展历程
节点文献
云纹干涉法
硅晶体
载波
残余变形
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
实验力学
双月刊
1001-4888
34-1057/O3
大16开
安徽省合肥市金寨路96号 中国科学技术大学实验力学编辑部
26-57
1986
chi
出版文献量(篇)
2191
总下载数(次)
8
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