ITRS 2001与芯片特征尺寸的缩小

• 作者: 翁寿松
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 国际半导体技术指南 芯片 特征尺寸 摩尔定律
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 4242字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2002.11.001

摘要

2001<国际半导体技术指南(ITRS)>规划出半导体技术未来15年内的发展.它主要强调芯片特征尺寸的进一步缩小,2001年0.13μm,2004年90 nm,2007年70 nm,2010年50nm,2013年30 nm,2016年22 nm.阻碍芯片特征尺寸缩小的关键是光学光刻技术,为此,世界各强国加速开发下一代光学光刻技术,如157 nm光学光刻、电子束光刻(EBL)和极紫外线(EUVL)光刻等.展望了缩小芯片特征尺寸的前景和存在的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翁寿松		95	534	13.0	18.0