Sb掺杂SnO2纳米粉体的结晶行为和电学性能

• 作者: 张建荣 杨云霞 顾达
• 来源期刊: 应用化学
• 学科: 化学
• 关键词: SnO2 掺锑 纳米粉体 结晶行为 电学性能
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 552-555
• 页数: 4页
• 分类号: O641|O649|TB383
• 字数: 2643字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0518.2002.06.010

摘要

采用非均相成核法制备了Sb掺杂的SnO2(ATO)纳米粉体. 研究了粉体电学性能、粒径、晶胞参数随Sb掺杂量的变化关系及粉体电学性能、粒径随煅烧温度的变化关系. 应用非晶物质晶化晶核生长速率方程计算了晶粒生长活化能. 结果表明,晶粒生长分为2个阶段 ,其活化能分别为21.94和4.52 kJ/mol.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨云霞	华东理工大学化学系	30	361	11.0	18.0
2	顾达	华东理工大学化学系	10	166	5.0	10.0
3	张建荣	华东理工大学化学系	15	207	7.0	14.0