Sol-Gel工艺Si基Bi4 Ti3 O12铁电薄膜制备与晶相结构研究

• 作者: 于军 王华 王耘波 秦冬成
• 来源期刊: 材料科学与工程
• 学科: 工学
• 关键词: Sol-Gel法 铁电薄膜 晶相结构 制备工艺
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 504-506,526
• 页数: 4页
• 分类号: TM22.1
• 字数: 3366字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2002.04.009

摘要

采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4TiO12铁电薄膜.研究了退火温度、退火时间、薄膜厚度等对薄膜晶相结构的影响.研究表明,退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响最为显著,而且随退火温度升高,Bi4Ti3O12薄膜更趋向于沿c-轴取向的生长;退火时间在30分钟内对薄膜晶相结构的影响比较明显;薄膜厚度及30分钟以上的退火处理对薄膜晶相结构的影响不大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军	华中科技大学电子科学与技术系	103	537	11.0	16.0
2	王华	桂林电子工业学院通信与信息工程系	98	463	13.0	17.0
3	秦冬成	桂林电子工业学院通信与信息工程系	12	19	2.0	4.0
4	王耘波	华中科技大学电子科学与技术系	68	398	10.0	16.0