a-Si:H薄膜的表面光电压谱和光电化学特性研究

• 作者: 崔毅 张力 王宝辉
• 来源期刊: 光谱实验室
• 学科: 物理学
• 关键词: 氢化非晶硅 表面光电压谱 光电化学
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 页码范围: 620-622
• 页数: 3页
• 分类号: O433.5+9
• 字数: 1698字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-8138.2002.05.015

摘要

采用表面光电压谱和光电化学方法,对不同掺杂类型的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的光伏响应和光电化学特性进行了研究,测定了a-Si:H薄膜的能带结构,为a-Si:H薄膜在太阳能电池上的应用提供了有用的基础数据和简单光伏测量方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔毅	内蒙古民族大学化学系	11	74	5.0	8.0
2	张力	内蒙古民族大学化学系	71	410	11.0	14.0
3	王宝辉	大庆石油学院化学化工学院	128	2122	23.0	38.0