ZnO压敏陶瓷中的原子缺陷和界面电子态研究

• 作者: 唐大海 庄严 李莉 陈志雄
• 来源期刊: 华中科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 压敏陶瓷 原子缺陷 界面态 肖特基势垒 非线性性能
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 页码范围: 46-49
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.93
• 字数: 4815字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2002.11.016

摘要

分析指出耗尽层内施主浓度Nd、界面受主态密度Ns 和界面能级深度Es 是影响ZnO压敏陶瓷电性能的重要参数.Nd 与体内原子缺陷有关,室温下主要取决于电离的浅能级本征和非本征施主Zn@i, Zn¨i 和Al@Zn,Ns 和Es 与界面原子缺陷密度和性质有关.本征界面缺陷 V′Zn 和 V″Zn 对界面受主态形成起基本作用;偏析于晶界的大离子半径的Bi和Ba以及界面上的化学吸附氧O-和O2-对提高Ns 和Es 起关键作用;易变价过渡元素Mn,Co和Ni对进一步提高受主态密度起重要作用;Sb通过生偏锑酸钡相在稳定势垒方面起较大作用,对提高态密度也有一定帮助.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李莉	广州大学物理系	2	30	2.0	2.0
2	庄严		22	166	7.0	11.0
3	陈志雄	广州大学物理系	19	134	6.0	11.0
4	唐大海		1	6	1.0	1.0